DMG3418L-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

50 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

5.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerDI

Verpackung:

Spule

Serie:

DMG3418

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.6 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.9 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMG3418, DMG341, DMG34, DMG3, DMG