MPSH10G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

3 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

650 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

MPSH10

Höhe:

5.33 mm (Max)

Länge:

5.2 mm (Max)

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.19 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

60

Pd - Verlustleistung:

350 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

MPSH10, MPSH1, MPSH, MPS