NTP30N06LG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

46 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

88.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

9.28 mm

Länge:

10.28 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

21 S

Abfallzeit:

62 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

200 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

NTP30N0, NTP30N, NTP30, NTP3, NTP