IXTP08N100P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

800 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

42 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

IXTP08N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.83 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

37 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTP08N1, IXTP08, IXTP0, IXTP, IXT