IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
Mfr. #:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
Hersteller:
ISSI
Beschreibung:
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Lebenszyklus:
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Datenblatt:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ISSI
Produktkategorie:
SRAM
RoHS:
Y
Speichergröße:
16 Mbit
Organisation:
1 M x 16
Zugriffszeit:
70 ns
Oberflächentyp:
Parallel
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-48
Verpackung:
Spule
Speichertyp:
SDR
Serie:
IS66WVE1M16EBLL
Typ:
Asynchron
Marke:
ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
SRAM
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
IS66WVE1M16E, IS66WVE1, IS66WVE, IS66WV, IS66W, IS66, IS6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
PSRAM Async 16Mbit 1M X 16 70ns 48-Pin TFBGA T/R
***ark
16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V
***i-Key
IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
Pseudo SRAM/CellularRAM
ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has a SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature which does not require physical refresh. These CellularRAM devics are designed in accordance to the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.
Bild Teil # Beschreibung
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

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OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-70BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

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OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

SRAM 16Mb Pseudo SRAM Asynch/Page
IS66WVE1M16EBLL-70BLI

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OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-55BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-55BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-55BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 16Mb Pseudo SRAM Asynch/Page
Verfügbarkeit
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Available
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256,00 $
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1000
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