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DTA114ESATP

DTA114ESATP
Mfr. #:
DTA114ESATP
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 50MA
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DTA114ESATP Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
DTA114ESATP DatasheetDTA114ESATP Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
PNP
Typischer Eingangswiderstand:
10 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
1
Montageart:
SMD/SMT
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
30
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
50 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
50 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Munitionspackung
Höhe:
3 mm
Länge:
4 mm
Breite:
2 mm
Marke:
ROHM Halbleiter
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
DTA114ESAT, DTA114ESA, DTA114ES, DTA114E, DTA114, DTA11, DTA1, DTA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
***ark
TRANSISTOR; DIGITAL; PNP; SPT; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Power Dissipation:300mW; Min Hfe:30; ft, Typ:250MHz; Case ;RoHS Compliant: Yes
***nell
TRANSISTOR; DIGITAL; PNP; SPT; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Power Dissipation:300mW; Min Hfe:30; ft, Typ:250MHz; Case Style:SC-72; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; DC Collector Current:100mA; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-72
***ment14 APAC
TRANSISTOR; DIGITAL; PNP; SPT; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SC-72; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:30; Package / Case:SC-72; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:General Purpose
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DTA114ESATP
DISTI # DTA114ESATP-ND		ROHM SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Box (TB)		Limited Supply - Call
    DTA114ESATP
    DISTI # 755-DTA114ESATP    		ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 50MA
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      DTA114YMFHAT2L

      Mfr.#: DTA114YMFHAT2L

      OMO.#: OMO-DTA114YMFHAT2L

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC
      DTA114YEBTL

      Mfr.#: DTA114YEBTL

      OMO.#: OMO-DTA114YEBTL

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
      DTA114TCAT116

      Mfr.#: DTA114TCAT116

      OMO.#: OMO-DTA114TCAT116-ROHM-SEMI

      		 PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
      DTA113TG

      Mfr.#: DTA113TG

      OMO.#: OMO-DTA113TG-1190

      		 Neu und Original
      DTA113ZSA

      Mfr.#: DTA113ZSA

      OMO.#: OMO-DTA113ZSA-1190

      		 Neu und Original
      DTA114ECU T146 , XC6201

      Mfr.#: DTA114ECU T146 , XC6201

      OMO.#: OMO-DTA114ECU-T146-XC6201-1190

      		 Neu und Original
      DTA114WKAL

      Mfr.#: DTA114WKAL

      OMO.#: OMO-DTA114WKAL-1190

      		 Neu und Original
      DTA114YKAFT146

      Mfr.#: DTA114YKAFT146

      OMO.#: OMO-DTA114YKAFT146-1190

      		 Neu und Original
      DTA114YM

      Mfr.#: DTA114YM

      OMO.#: OMO-DTA114YM-1190

      		 Neu und Original
      DTA115EK

      Mfr.#: DTA115EK

      OMO.#: OMO-DTA115EK-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      5000
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