PBSS2515YPN,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UMT-3

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

15 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

420 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.35 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 10 mA, 2 V, 150 at 100 mA, 2 V, 90 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS2515YPN T/R

Tags

PBSS2515Y, PBSS251, PBSS2, PBSS, PBS