PMV65UNEAR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

73 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

940 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Tags

PMV65UNE, PMV65U, PMV65, PMV6, PMV