TGF2929-FL

TGF2929-FL
Mfr. #:
TGF2929-FL
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2929-FL Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
12 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
28 V
Gewinnen:
14 dB
Ausgangsleistung:
107 W
Verpackung:
Tablett
Arbeitsfrequenz:
3.5 GHz
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Pd - Verlustleistung:
144 W
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
145 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.9 V
Teil # Aliase:
1123811
Tags
TGF2929-F, TGF292, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 100 W, 14 dB, 28 V, GaN
TGF2929 GaN RF Power Transistors
Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2929-FL
DISTI # 772-TGF2929-FL
QorvoRF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
RoHS: Compliant
11
  • 1:$375.0000
Bild Teil # Beschreibung
HMC540SLP3E

Mfr.#: HMC540SLP3E

OMO.#: OMO-HMC540SLP3E

Attenuators SOI 4Bit DAT - v3 ESD Improved MiM
LTC5582HDD#PBF

Mfr.#: LTC5582HDD#PBF

OMO.#: OMO-LTC5582HDD-PBF

RF Detector 40MHz-10GHzRMSDetect w/57dB Dynamic Range
HMC7992LP3DE

Mfr.#: HMC7992LP3DE

OMO.#: OMO-HMC7992LP3DE

RF Switch ICs SP4T Switch
5P49V6965A000NLGI

Mfr.#: 5P49V6965A000NLGI

OMO.#: OMO-5P49V6965A000NLGI

Clock Generators & Support Products VersaClock 6E Standard Part
TPS82130SILT

Mfr.#: TPS82130SILT

OMO.#: OMO-TPS82130SILT

Switching Voltage Regulators TPS82130 Step-Down Converter MicroSIP
LM27762DSST

Mfr.#: LM27762DSST

OMO.#: OMO-LM27762DSST

LDO Voltage Regulators Low-Noise Pos/Neg Output Charge Pump
SMP-MSLD-PCT16T

Mfr.#: SMP-MSLD-PCT16T

OMO.#: OMO-SMP-MSLD-PCT16T

RF Connectors / Coaxial Connectors STRAIGHT PCB JACK THROUGH HOLE, 50 OHM
LM27762DSST

Mfr.#: LM27762DSST

OMO.#: OMO-LM27762DSST-TEXAS-INSTRUMENTS

IC REG CHARGE PUMP ADJ DL 12WSON
HMC540SLP3E

Mfr.#: HMC540SLP3E

OMO.#: OMO-HMC540SLP3E-ANALOG-DEVICES

Active Attenuator Attenuators SOI 4Bit DAT - v3 ESD Improved MiM
HMC7992LP3DE

Mfr.#: HMC7992LP3DE

OMO.#: OMO-HMC7992LP3DE-ANALOG-DEVICES

RF Switch ICs SP4T Switch
Verfügbarkeit
Aktie:
28
Auf Bestellung:
2011
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375,00 $
25
338,44 $
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