HUFA76419D3ST

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

31 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

HUFA76419D_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

124 ns, 35 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns, 50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns, 6.5 ns

Teil # Aliase:

HUFA76419D3ST_NL

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

HUFA76419D3, HUFA76419D, HUFA76419, HUFA7641, HUFA764, HUFA76, HUFA, HUF