NE5532DG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-16

Ausgangsstrom pro Kanal:

38 mA

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

GBP - Bandbreitengewinn Produkt:

10 MHz

SR - Anstiegsrate:

9 V/us

CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis:

70 dB

Ib - Eingangs-Bias-Strom:

800 nA

Vos - Eingangs-Offsetspannung:

4 mV

Betriebsversorgungsstrom:

8 mA

Minimale Betriebstemperatur:

0 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 70 C

Stilllegen:

Keine Abschaltung

Serie:

NE5532

Verpackung:

Rohr

Verstärkertyp:

Rauscharmer Verstärker

Höhe:

2.4 mm (Max)

Länge:

10.45 mm (Max)

Produkt:

Operationsverstärker

Versorgungstyp:

Dual

Technologie:

Bipolar

Breite:

7.6 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Doppelte Versorgungsspannung:

+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V

de - Rauschdichte der Eingangsspannung:

8 nV/sqrt Hz

In - Eingangsrauschstromdichte:

2.7 pA/sqrt Hz

Maximale doppelte Versorgungsspannung:

+/- 20 V

Minimale duale Versorgungsspannung:

+/- 3 V

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Betriebsversorgungsspannung:

+/- 3 V to +/- 20 V

Pd - Verlustleistung:

1200 mW

Produktart:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

PSRR - Stromversorgungs-Unterdrückungsverhältnis:

100 dB

Werkspackungsmenge:

47

Unterkategorie:

Verstärker-ICs

Vcm - Gleichtaktspannung:

Negative Rail + 3 V to Positive Rail - 3 V

Spannungsverstärkung dB:

100 dB

Gewichtseinheit:

0.023492 oz

Tags

NE5532D, NE5532, NE553, NE55, NE5