ZXMP3A16GTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

29.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

6.7 mm

Serie:

ZXMP3A1

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9.2 S

Abfallzeit:

21.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.8 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

ZXMP3A16GT, ZXMP3A16G, ZXMP3A16, ZXMP3A, ZXMP3, ZXMP, ZXM