SI7119DN-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-1212-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.05 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

16.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 50 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

52 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.04 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

SI7

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

SI7119DN-GE3

Tags

SI7119DN-T1-G, SI7119DN-T, SI7119, SI711, SI71, SI7