VP3203N8-G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

600 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

FET

Breite:

2.6 mm

Marke:

Mikrochip-Technologie

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.001862 oz

Tags

VP3203N8, VP3203N, VP3203, VP320, VP32, VP3