FDS2672-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

59 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

33 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

UltraFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

FDS2672_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

15 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Teil # Aliase:

FDS2672_F085

Gewichtseinheit:

0.008127 oz

Tags

FDS2672, FDS267, FDS26, FDS2, FDS