FDG6332C-F085P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-70-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

0.7 A, - 0.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

300 mOhms, 420 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

0.6 V, - 1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

1.5 nC, 2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.8 S, 1.8 S

Abfallzeit:

1.5 ns, 1.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns, 14 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9 ns, 6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 5.5 ns

Tags

FDG6332C-F, FDG6332, FDG633, FDG63, FDG6, FDG