DMC3028LSD-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.1 A, 7.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms, 41 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

5.2 nC, 16.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.3 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMC3028

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S, 18.6 S

Abfallzeit:

9.7 ns, 28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.1 nS, 4.9 nS

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 nS, 44 nS

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.5 ns, 3.5 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMC3028LSD-1, DMC3028, DMC302, DMC30, DMC3, DMC