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TK560P65Y,RQ

TK560P65Y,RQ
Mfr. #:
TK560P65Y,RQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK560P65Y,RQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK560P65Y,RQ DatasheetTK560P65Y,RQ Datasheet (P4-P6)TK560P65Y,RQ Datasheet (P7-P9)TK560P65Y,RQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK560P65Y,RQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
DPAK-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
430 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
14.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:
-
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
60 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSV
Verpackung:
Spule
Serie:
TK560P65Y
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
20 ns
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
105 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
50 ns
Tags
TK560P65, TK560P, TK560, TK56, TK5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor Dpak(Os) Pd=60W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***et
Power MOSFET N-Channel 650V 7A 3-Pin DPAK T/R
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Bild Teil # Beschreibung
STF26N60DM6

Mfr.#: STF26N60DM6

OMO.#: OMO-STF26N60DM6

 MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package
STM32L4R5ZIT6

Mfr.#: STM32L4R5ZIT6

OMO.#: OMO-STM32L4R5ZIT6

 ARM Microcontrollers - MCU Ultra-low-power with FPU ARM Cortex-M4 MCU 120 MHz with 2048 kbytes Flash, USB OTG, DFSDM, CHROM-ART
UA78L05ACD

Mfr.#: UA78L05ACD

OMO.#: OMO-UA78L05ACD

 Linear Voltage Regulators 5.0V 100mA
LMR33620CDDA

Mfr.#: LMR33620CDDA

OMO.#: OMO-LMR33620CDDA

 Switching Voltage Regulators 36V 2A 2.1MHZ REGULATOR
B32672L6104K000

Mfr.#: B32672L6104K000

OMO.#: OMO-B32672L6104K000

 Film Capacitors FILM CAP 0.47uF 20% 400Vdc LS 22.5mm
ROX5SJ51K

Mfr.#: ROX5SJ51K

OMO.#: OMO-ROX5SJ51K

 Metal Oxide Resistors 5W SM M/OX 5% 51K
LMR33620CDDA

Mfr.#: LMR33620CDDA

OMO.#: OMO-LMR33620CDDA-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOPWR
BFC237524101

Mfr.#: BFC237524101

OMO.#: OMO-BFC237524101-VISHAY

 Film Capacitors 100pF 5% 1000volts
STM32L4R5ZIT6

Mfr.#: STM32L4R5ZIT6

OMO.#: OMO-STM32L4R5ZIT6-STMICROELECTRONICS

 IC MCU 32BIT 2MB FLASH 144LQFP
22-27-2021

Mfr.#: 22-27-2021

OMO.#: OMO-22-27-2021-410

 Headers & Wire Housings 2 POS HEADER
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1984
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1,23 $
10
0,98 $
9,80 $
100
0,75 $
75,30 $
500
0,67 $
333,00 $
1000
0,52 $
525,00 $
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