DMN3008SCP10-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X4-DSN3415-10

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.1 mOhms, 6.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

31.3 nC, 31.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.7 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

858 ns, 858 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

314 ns, 314 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

928 ns, 928 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

186 ns, 186 ns

Tags

DMN3008, DMN300, DMN30, DMN3, DMN