NTHS5441T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ChipFET-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

46 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.05 mm

Länge:

3.05 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTHS5441T1

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

NTHS5441T, NTHS5441, NTHS544, NTHS5, NTHS, NTH