TC8220K6-G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-12

Anzahl der Kanäle:

4 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms, 7 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Quad

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marke:

Mikrochip-Technologie

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

400 mS, 400 mS

Abfallzeit:

15 ns, 15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

3300

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns, 20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 10 ns

Gewichtseinheit:

0.001460 oz

Tags

TC8220, TC822, TC82, TC8