FJC1963QTF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.45 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FJC1963

DC-Stromverstärkung hFE Max:

560

Höhe:

1.7 mm

Länge:

4.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

500 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

FJC1963QTF_NL

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

FJC19, FJC1, FJC