NTD30N02G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

20 S

Abfallzeit:

12 ns, 17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28 ns, 115 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns, 12.5 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD30N02, NTD30N, NTD30, NTD3, NTD