CSD87501L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

BGA-10

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

40 nC, 40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.2 mm

Länge:

3.37 mm

Serie:

CSD87501L

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.47 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

48 S, 48 S

Abfallzeit:

712 ns, 712 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

260 ns, 260 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

709 ns, 709 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

164 ns, 164 ns

Gewichtseinheit:

0.000109 oz

Tags

CSD8750, CSD875, CSD87, CSD8, CSD