IPW60R105CFD7XKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

105 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

42 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

106 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns

Werkspackungsmenge:

240

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

94 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

IPW60R105CFD7 SP001715628

Tags

IPW60R1, IPW60, IPW6, IPW