SIB455EDK-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SC75-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

22 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

30 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

13 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET, PowerPAK

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

1.6 mm

Serie:

SIB

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

18 S

Abfallzeit:

3.2 us

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.4 us

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

3.7 us

Typische Einschaltverzögerungszeit:

0.4 us

Teil # Aliase:

SIB455EDK-GE3

Gewichtseinheit:

0.003386 oz

Tags

SIB45, SIB4, SIB