TT8M1TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSST-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

52 mOhms, 49 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV, 1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

3.6 nC, 12 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

17 ns, 85 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns, 30 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns, 120 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns, 9 ns

Teil # Aliase:

TT8M1

Tags

TT8M1, TT8M, TT8