FQI12N60CTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

650 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

225 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

7.88 mm

Länge:

10.29 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

13 S

Abfallzeit:

90 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

85 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

155 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Teil # Aliase:

FQI12N60CTU_NL

Gewichtseinheit:

0.084199 oz

Tags

FQI12N6, FQI12N, FQI12, FQI1, FQI