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SI3127DV-T1-GE3

SI3127DV-T1-GE3
Mfr. #:
SI3127DV-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI3127DV-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SI3127DV-T1-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TSOP-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Pd-Verlustleistung
4.2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
16 ns
Anstiegszeit
6 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
+/- 20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
- 5.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 60 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 1 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
146 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
35 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
40 ns
Qg-Gate-Ladung
20 nC
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI3127D, SI3127, SI312, SI31, SI3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Si3127DV Series 60 V 3.5 A Surface Mount P-Channel Mosfet - TSOP-6
***et Europe
Trans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R
***ical
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
***i-Key
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
***ark
P-Channel 60-V (D-S) Mosfet
Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216611		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET46
  • 25:$0.3671
  • 10:$0.4078
  • 1:$0.5304
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # V36:1790_09216611		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET0
  • 6000000:$0.1418
  • 3000000:$0.1419
  • 600000:$0.1476
  • 60000:$0.1556
  • 6000:$0.1569
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # V90:2381_09216611		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET0
  • 3000000:$0.1418
  • 1500000:$0.1419
  • 300000:$0.1476
  • 30000:$0.1556
  • 3000:$0.1569
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # SI3127DV-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		5831In Stock
  • 1000:$0.1912
  • 500:$0.2474
  • 100:$0.3149
  • 10:$0.4220
  • 1:$0.4900
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # SI3127DV-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		5831In Stock
  • 1000:$0.1912
  • 500:$0.2474
  • 100:$0.3149
  • 10:$0.4220
  • 1:$0.4900
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # SI3127DV-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		3000In Stock
  • 30000:$0.1398
  • 15000:$0.1474
  • 6000:$0.1583
  • 3000:$0.1693
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # 20797769		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET6000
  • 3000:$0.1350
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # 32404565		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET46
  • 44:$0.5304
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # SI3127DV-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3127DV-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 30000:$0.1329
  • 18000:$0.1369
  • 12000:$0.1399
  • 6000:$0.1459
  • 3000:$0.1509
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # SI3127DV-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R (Alt: SI3127DV-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 30000:€0.1209
  • 18000:€0.1299
  • 12000:€0.1409
  • 6000:€0.1639
  • 3000:€0.2399
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # 96X2711		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET0
  • 50000:$0.1350
  • 30000:$0.1410
  • 20000:$0.1510
  • 10000:$0.1620
  • 5000:$0.1750
  • 1:$0.1790
SI3127DV-T1-GE3
DISTI # 78-SI3127DV-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
RoHS: Compliant		68291
  • 1:$0.4900
  • 10:$0.3750
  • 100:$0.2780
  • 500:$0.2280
  • 1000:$0.1760
  • 3000:$0.1610
  • 6000:$0.1500
  • 9000:$0.1400
Bild Teil # Beschreibung
SI3127DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3127DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3127DV-T1-GE3

 MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3127DV

Mfr.#: SI3127DV

OMO.#: OMO-SI3127DV-1190

 Neu und Original
SI3127DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3127DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3127DV-T1-GE3-VISHAY

 MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
SI3127DV-T1-GE3-CUT TAPE

Mfr.#: SI3127DV-T1-GE3-CUT TAPE

OMO.#: OMO-SI3127DV-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1000
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ext. Preis
1
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0,20 $
10
0,19 $
1,89 $
100
0,18 $
17,94 $
500
0,17 $
84,70 $
1000
0,16 $
159,50 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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