MRF18060ALR3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

NXP

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Technologie:

Si

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

65 V

Gewinnen:

13 dB

Ausgangsleistung:

60 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

NI-780-3

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Höhe:

4.32 mm

Länge:

34.16 mm

Arbeitsfrequenz:

1.8 GHz

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Breite:

9.91 mm

Marke:

NXP / Freescale

Kanalmodus:

Erweiterung

Pd - Verlustleistung:

180 W

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Gewichtseinheit:

0.226635 oz

Tags

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