SQM120P10_10M1LGE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

190 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

375 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

60 S

Abfallzeit:

200 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

100 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

120 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.077603 oz

Tags

SQM120P, SQM12, SQM1, SQM