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IXFN230N10

IXFN230N10
Mfr. #:
IXFN230N10
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN230N10 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Chassishalterung
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
230 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
700 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HyperFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.6 mm
Länge:
38.23 mm
Serie:
IXFN230N10
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
25.42 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
60 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
150 ns
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
112 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
40 ns
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
IXFN23, IXFN2, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 100V 230A 4-Pin SOT-227B
***ark
N Channel Mosfet, 100V, 230A, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:230A; On Resistance Rds(On):0.006Ohm; Transistor Mounting:module; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 230A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 700W; Transistor Case Style: ISOTOP; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Current Id Max: 230A; Current Temperature: 25°C; Full Power Rating Temperature: 25°C; On State Resistance Max: 6mohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Pulse Current Idm: 920A; Termination Type: Screw; Voltage Vds: 100V; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 4V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 4V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN230N10
DISTI # V99:2348_17754234		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 230A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		7
  • 1:$35.6545
IXFN230N10
DISTI # V36:1790_17754234		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 230A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		0
  • 250:$29.4000
  • 100:$32.4700
  • 25:$34.7500
  • 10:$37.5600
  • 1:$40.6800
IXFN230N10
DISTI # IXFN230N10-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1403In Stock
  • 100:$32.8650
  • 30:$35.0560
  • 10:$37.9040
  • 1:$40.5300
IXFN230N10
DISTI # 32421511		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 230A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		7
  • 250:$31.6050
  • 100:$34.9053
  • 25:$37.3563
  • 10:$40.3770
  • 1:$43.7310
IXFN230N10
DISTI # 69C1144		IXYS CorporationN CHANNEL MOSFET, 100V, 230A, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:230A,Drain Source Voltage Vds:100V,On Resistance Rds(on):0.006ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4V,MSL:- RoHS Compliant: Yes72
  • 250:$34.0800
  • 100:$36.5100
  • 50:$37.8000
  • 25:$38.8700
  • 10:$39.9500
  • 5:$41.0400
  • 1:$42.1200
IXFN230N10
DISTI # 747-IXFN230N10		IXYS CorporationMOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 10:$37.9100
  • 30:$35.0600
  • 50:$34.0200
  • 100:$32.8600
  • 200:$30.6700
IXFN230N10
DISTI # 3582073		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant		72
  • 30:$53.1100
  • 10:$57.4200
  • 1:$61.4000
IXFN230N10
DISTI # 3582073		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B221
  • 100:£24.5800
  • 50:£27.2700
  • 10:£28.1000
  • 5:£30.3400
  • 1:£32.5700
IXFN230N10
DISTI # IXFN230N10		IXYS CorporationN-Ch 100V 230A 700W 0,006R SOT227B
RoHS: Compliant		0
  • 1:€38.2500
  • 5:€34.2500
  • 10:€32.2500
  • 25:€31.0500
Bild Teil # Beschreibung
IXFN230N20T

Mfr.#: IXFN230N20T

OMO.#: OMO-IXFN230N20T

 MOSFET 230A 200V
IXFN26N100P

Mfr.#: IXFN26N100P

OMO.#: OMO-IXFN26N100P

 MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds
IXFN27N120SK

Mfr.#: IXFN27N120SK

OMO.#: OMO-IXFN27N120SK

 MOSFET SICARBIDE-DISCRETE MOSFET (MIN
IXFN240N15T2

Mfr.#: IXFN240N15T2

OMO.#: OMO-IXFN240N15T2

 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN280N07

Mfr.#: IXFN280N07

OMO.#: OMO-IXFN280N07

 MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds
IXFN200N10P

Mfr.#: IXFN200N10P

OMO.#: OMO-IXFN200N10P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
IXFN22N55

Mfr.#: IXFN22N55

OMO.#: OMO-IXFN22N55-1190

 Neu und Original
IXFN25N50

Mfr.#: IXFN25N50

OMO.#: OMO-IXFN25N50-1190

 Neu und Original
IXFN280N085

Mfr.#: IXFN280N085

OMO.#: OMO-IXFN280N085-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds
IXFN26N120P

Mfr.#: IXFN26N120P

OMO.#: OMO-IXFN26N120P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 26 Amps 1200V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IXFN230N10 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
10
37,91 $
379,10 $
30
35,06 $
1 051,80 $
50
34,02 $
1 701,00 $
100
32,86 $
3 286,00 $
200
30,67 $
6 134,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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