TK28N65W,S1F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

27.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

94 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

75 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

230 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.95 mm

Länge:

15.94 mm

Serie:

TK28N65W

Breite:

5.02 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

130 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

60 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

TK28N, TK28, TK2