DMN2058UW-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

42 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

7.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.7 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

3.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2 ns

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

DMN2058, DMN205, DMN20, DMN2, DMN