BSZ018NE2LSI

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

48 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

69 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

50 S

Abfallzeit:

3.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.8 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.2 ns

Teil # Aliase:

BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ18NE2LSIXT SP000906032

Gewichtseinheit:

0.001298 oz

Tags

BSZ018NE2LSI, BSZ018NE, BSZ018, BSZ01, BSZ0, BSZ