DMP510DL-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

180 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

5 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

310 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.975 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

DMP510

Breite:

1.3 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.25 S

Abfallzeit:

7.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.6 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMP51, DMP5, DMP