FZT657TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FZT657

Höhe:

1.65 mm (Max)

Länge:

6.7 mm (Max)

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm (Max)

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

FZT657T, FZT657, FZT65, FZT6, FZT