BSS308PEH6327XT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

62 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

BSS308

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.6 S

Abfallzeit:

2.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.6 ns

Teil # Aliase:

BSS308PEH6327XTSA1 SP000928942

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSS308PEH6327X, BSS308PEH, BSS308, BSS30, BSS3, BSS