CXT5551HC TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

160 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

180 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.2 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

CXT5551HC

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250 at 10 mA, 5 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30 at 50 mA, 5 V

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

CXT5551HC PBFREE TR

Tags

CXT5551H, CXT555, CXT55, CXT5, CXT