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TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ
Mfr. #:
TK31J60W5,S1VQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK31J60W5,S1VQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK31J60W5,S1VQ DatasheetTK31J60W5,S1VQ Datasheet (P4-P6)TK31J60W5,S1VQ Datasheet (P7-P9)TK31J60W5,S1VQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK31J60W5,S1VQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3PN-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
73 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
86 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
230 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Höhe:
20 mm
Länge:
15.5 mm
Serie:
TK31J60W5
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
32 ns
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
165 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
70 ns
Gewichtseinheit:
0.245577 oz
Tags
TK31J60W5, TK31J, TK31, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-3Pn(Os) Moq=50 Pd=230W F=1Mhz
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
***et
DTMOSIV(WITH FAST DIODE)_600V_88MOHM MAX(VGS=10V)_TO-3P(N)
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TK31J60W5,S1VQ
DISTI # V99:2348_13896177		Toshiba America Electronic ComponentsX35 PB-F POWER MOSFET TRANSIST25
  • 2500:$4.3250
  • 1000:$4.4540
  • 500:$5.0500
  • 250:$5.5120
  • 100:$5.9740
  • 25:$6.5600
  • 10:$7.1510
  • 1:$7.8660
TK31J60W5,S1VQ
DISTI # TK31J60W5S1VQ-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 25:$7.9152
TK31J60W5,S1VQ
DISTI # 31315828		Toshiba America Electronic ComponentsX35 PB-F POWER MOSFET TRANSIST25
  • 25:$6.5490
  • 10:$7.1380
  • 2:$7.8510
TK31J60W5S1VQ
DISTI # TK31J60W5,S1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N 600V 30.8A 3-Pin SC-65 Bag - Rail/Tube (Alt: TK31J60W5,S1VQ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Americas - 0
  • 25:$5.4900
  • 50:$5.0900
  • 100:$4.7900
  • 150:$4.5900
  • 250:$4.4900
TK31J60W5,S1VQ
DISTI # 757-TK31J60W5S1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
RoHS: Compliant		23
  • 1:$10.1000
  • 10:$9.0800
  • 25:$8.2800
  • 50:$8.0700
  • 100:$7.4700
  • 250:$6.8600
  • 500:$6.2600
  • 1000:$5.0000
TK31J60W5S1VQOToshiba America Electronic Components 60
    TK31J60W5,S1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
    RoHS: Compliant    		Americas -
      TK31J60W5S1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 30.8A 230W FET 600V
      RoHS: Compliant      		Americas -
        TK31J60W5,S1VQ(O)
        DISTI # C1S751201082516        		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs55
        • 50:$11.9000
        • 10:$14.2000
        • 5:$14.9000
        TK31J60W5,S1VQ
        DISTI # C1S751200875779        		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs25
        • 25:$6.5490
        • 10:$7.1380
        • 1:$7.8510
        Bild Teil # Beschreibung
        UCC27531DBVR

        Mfr.#: UCC27531DBVR

        OMO.#: OMO-UCC27531DBVR

        		 Gate Drivers 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Sgl Gate Dvr
        UCC27531DBVR

        Mfr.#: UCC27531DBVR

        OMO.#: OMO-UCC27531DBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

        		 Gate Drivers 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Sgl Gate Dv
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        3000
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        Der aktuelle Preis von TK31J60W5,S1VQ dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        10,10 $
        10,10 $
        10
        9,08 $
        90,80 $
        25
        8,28 $
        207,00 $
        50
        8,07 $
        403,50 $
        100
        7,47 $
        747,00 $
        250
        6,86 $
        1 715,00 $
        500
        6,26 $
        3 130,00 $
        1000
        5,00 $
        5 000,00 $
        2500
        4,78 $
        11 950,00 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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