DMC3021LSDQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.5 A, 7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 mOhms, - 30 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

16.1 nC, 21.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 100 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

DMC302

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8.1 S, 7 S

Abfallzeit:

8.55 ns, 22.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns, 6.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26.3 ns, 50.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 10.1 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMC3021LS, DMC3021, DMC302, DMC30, DMC3, DMC