BSZ065N03LS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

10 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

26 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

34 S

Abfallzeit:

2.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.4 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.5 ns

Teil # Aliase:

BSZ065N03LSATMA1 BSZ65N3LSXT SP000799084

Gewichtseinheit:

0.003527 oz

Tags

BSZ065N03LS, BSZ065N03, BSZ065, BSZ06, BSZ0, BSZ