FDA33N25

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PN-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

33 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

94 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

245 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

UniFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.1 mm

Länge:

16.2 mm

Serie:

FDA33N25

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

68 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

142 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

77 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

0.225789 oz

Tags

FDA3, FDA