SSM6K403TU,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UF-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

66 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

16.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

2 mm

Serie:

SSM6K403

Transistortyp:

1 N-channel

Breite:

1.7 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.000247 oz

Tags

SSM6K40, SSM6K4, SSM6K, SSM6, SSM