TK34A10N1,S4X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

34 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

38 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

35 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

15 mm

Länge:

10 mm

Serie:

TK34A10N1

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

TK34A10N1,S, TK34A, TK34, TK3