EFC6605R-TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WLCSP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

19.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Serie:

EFC6605R

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

60800 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

678 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

44400 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

154 ns

Gewichtseinheit:

0.002328 oz

Tags

EFC6605, EFC660, EFC6, EFC