FDMC510P-F106

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

116 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

41 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

FDMC510P

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

75 S

Abfallzeit:

170 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

34 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

338 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

FDMC510P_F106

Tags

FDMC51, FDMC5, FDMC, FDM