IRF3709ZSPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

87 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

17 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

79 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

88 S

Abfallzeit:

4.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

41 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

SP001551038

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRF3709ZS, IRF3709Z, IRF3709, IRF370, IRF37, IRF3, IRF