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RSS130N03FU6TB

RSS130N03FU6TB
Mfr. #:
RSS130N03FU6TB
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 30V 13A N CHANNEL
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RSS130N03FU6TB Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RSS130N03FU6TB DatasheetRSS130N03FU6TB Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOP-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
8.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
2 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
1.5 mm
Länge:
5 mm
Serie:
RSS130N03
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
ROHM Halbleiter
Abfallzeit:
55 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
30 ns
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
88 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
13 ns
Teil # Aliase:
RSS130N03
Gewichtseinheit:
0.030018 oz
Tags
RSS130N03F, RSS130N0, RSS130, RSS13, RSS1, RSS
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 2 W 30 V 11.1 mOhm Surface Mount 4 V Drive MosFet - SOIC-8
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOP T/R
***ment14 APAC
MOSFET, N, 30V, 13A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):11.1mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOP; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:2000pF; Fall Time tf:55ns; Package / Case:SOP-8; Pin Configuration:S(1+2+3),D(5+6+7+8),G(4); Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:52A; Rise Time:30ns; Termination Type:SMD; Transistor Type:Protected MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RSS130N03FU6TB
DISTI # RSS130N03FU6TB-ND		ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.8732
RSS130N03FU6TB
DISTI # 755-RSS130N03FU6TB		ROHM SemiconductorMOSFET 30V 13A N CHANNEL
RoHS: Compliant		0
    RSS130N03FU6TBROHM Semiconductor 2226
      Bild Teil # Beschreibung
      RSS130N03FU6TB

      Mfr.#: RSS130N03FU6TB

      OMO.#: OMO-RSS130N03FU6TB

      		 MOSFET 30V 13A N CHANNEL
      RSS130N03FU6TB

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      OMO.#: OMO-RSS130N03FU6TB-ROHM-SEMI

      		 MOSFET 30V 13A N CHANNEL
      RSS130N03 TB

      Mfr.#: RSS130N03 TB

      OMO.#: OMO-RSS130N03-TB-1190

      		 Neu und Original
      RSS130N03 TR

      Mfr.#: RSS130N03 TR

      OMO.#: OMO-RSS130N03-TR-1190

      		 Neu und Original
      RSS130N03FRA

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      OMO.#: OMO-RSS130N03FRA-1190

      		 Neu und Original
      RSS130N03FU6TB RSX051VA-

      Mfr.#: RSS130N03FU6TB RSX051VA-

      OMO.#: OMO-RSS130N03FU6TB-RSX051VA--1190

      		 Neu und Original
      RSS130N03TB

      Mfr.#: RSS130N03TB

      OMO.#: OMO-RSS130N03TB-1190

      		 Neu und Original
      RSS130N3

      Mfr.#: RSS130N3

      OMO.#: OMO-RSS130N3-1190

      		 Neu und Original
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      Available
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      3500
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