BD535J

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

8 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

12 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

9.65 mm (Max)

Länge:

10.67 mm (Max)

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.83 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

8 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20

Pd - Verlustleistung:

50 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

200

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

BD535, BD53, BD5